型号:

SIA917DJ-T1-GE3

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SIA917DJ-T1-GE3 PDF
产品目录绘图 Mosfet SC70-6, SC75-6 Package
特色产品 Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package
标准包装 1
系列 -
FET 型 2 个 P 沟道(双)
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 110 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 250pF @ 10V
功率 - 最大 1.9W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装 PowerPAK? SC-70-6 双
包装 标准包装
产品目录页面 1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SIA917DJ-T1-GE3DKR
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